三星将面世第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

作为亚太地区NANDSSD市场竞争的出头，LG在3DSSD上又要后来居上其他厂商了，同月在LG技术论坛上，LG确认了第八代V-NAND的细节，codice_楼层最少200层，发电量可达1Tbit，512GB发电量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。

LG的V-NANDSSD现在导演持续发展到了第七代V-NAND V7，codice_楼层176层，TLC版内部发电量512Gbit，而之际发售的V-NAND V8楼层将最少200——LG没提到具体多少层，但之前的报道中说明是228层，提高30%左右，存储密度提高了40%左右。

V-NAND V8SSD的单颗内部发电量也从之前的512Gbit大幅提高到了1Tbit，同时耐用性也来得强，IO接口速率从2Gbps提高到了2.4Gbps，耐用性来得复用最新的PCIe 5.0规格。

得益于存储发电量相当大. V-NAND V8SSD的厚度即使如此可以控制在合理水平，封装512GB发电量也不最少0.8mm，可以用于新一代智能手机。

在未来，LG的V-NANDSSDcodice_楼层还会进一步提高，路线图中的目标是最少500层，这被视为3DSSD的极限，不过LG还在想法跃进，最终能制造1000层codice_的3DSSD。

- THE END -

刊出请注明出处：快信息技术

#LG#SSD